Определение концентрации Ge в эпитаксиальных пленках SixGe1-x/Si методом Оже-спектроскопии: Описание лабораторной работы
Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Канышина М.В.
В данной лабораторной работе рассматриваются физические основы метода Оже-спектроскопии и его применение для определения элементного состава поверхности полупроводниковых гетероструктур. Предназначено для студентов старших курсов и магистратуры физического факультета, обучающихся по специальностям ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'' и ''Физика полупроводников. Микроэлектроника'', направление специализации - ''Физика твердотельных наноструктур''. Пособие подготовлено в рамках работ по проекту ''Научно-образовательный центр Физика твердотельных наноструктур Нижегородского государственного университета им. Н.И.Лобачевского'' Российско-американской программы ''Фундаментальные исследования и высшее образование''
Kategori:
Tahun:
2002
Penerbit:
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Bahasa:
russian
Halaman:
40
Fail:
PDF, 1.35 MB
IPFS:
,
russian, 2002